[轉貼][記憶體][資訊]飛思卡爾新記憶體-MRAM 飆速度
飛思卡爾半導體公司（Freescale）率先銷售一種新型記憶體，綜合傳統記憶體的高速優點與硬碟的儲存能力，希望藉此打入規模480億元的記憶體市場。
這種名為磁阻隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random-Access Memory，MRAM）的技術，可說是半導體業界十多年來追求的目標。MRAM以磁極儲存資料，斷電後依舊可以保存資料，除擁有硬碟、快閃記憶體（Flash RAM）的非揮發性（non-volatile）儲存特性，也有超越動態隨存記憶體（DRAM）的高速。
飛思卡爾10日宣佈，這兩個月來已經在亞利桑納州的工廠量產容量4MB的MRAM晶片，每片建議售價為25元，並且已經收到訂單，但飛思卡爾對買家名單保密。摩托羅拉公司（Motorola）的半導體部門在2004年獨立出來，成立飛思卡爾。
IBM、英飛凌（Infeneon）、台積電、霍尼韋爾（Honeywell ）、東芝、NEC、三星與瑞薩半導體（Renesas）等廠商都在研發這項技術，IBM與英飛凌的聯合團隊在2004年試產16MB的MRAM，台積電在 2004年成功試產1MB。美光科技（Micron ）、柏士半導體（Cypress）則先後退出競賽。分析師表示，研發MRAM的廠商多半對商業化時程低調以對，飛思卡爾此次商業化量產宣示，可望吸引更多廠商跟進。
MRAM被認為有潛力取代現行的DARM、SRAM以及Flash，其耐用特性初期在汽車、航太方面擁有優勢，例如應用在飛航記錄器（俗稱黑盒子）。MRAM容量未來若能進一步突破，瞬間開機的電腦將不再是難事，低耗電對於行動裝置尤其有利。
但目前而言，MRAM依舊無法與主流記憶體競爭。
[ 本帖最後由 philxyz0316 於 2006-7-12 16:21 編輯 ]
