[記憶體]記憶體參數
記憶體參數，一般常出現的，我整理略述如下:
CAS# latency (Tcl)
全名:預充電時間 (CAS Latency)：通常簡稱CL。
例如CL=3，表示電腦系統自主記憶體讀取第一筆資料時，所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)
。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間，相差一個時脈，對整個系統的效能並無顯著影響。
RAS# to CAS# Delay (Trcd)
全名:列控制器至行控制器傳輸延遲(Row Adress Strobe,列位址控制器)
to CAS(Column Adress Strobe,行位址控制器) 。
記憶體控制器會先送出列(ROW)的位址(例如第2列)，然後RAM收到列的位置後，
經過一段時間，才會再傳送行(Column)的位址，而這一段時間就是RAS Delay
Min RAS# active time(Tras)
又稱RAM Active Timing(記憶體活躍延遲，我硬翻的..)
一般記憶體模組有分1bank跟2bank(非單面雙面顆粒之分)，
當CPU在Bank1找完資料,Bank1便需要一段時間恢復才能再供利用,這一段時間就是RAM Active Timing。
Row precharge Time (Trp)
全名:自我充電時間 (Self-Refresh)。DRAM內部具有獨立且內建的充電電路，
並於一定時間內做自我充電， 通常用在筆記型電腦或可攜式電腦等的省電需求高的電腦。
由於DDR RAM的資料儲存方式，是以一列下去儲存，放滿了或是不夠放，才會換列。
因此位置的傳送常常是(第2列,第2行)、(第2列,第3行)、(第2列,第5行)這種方式。
因此列定址後，只有行在換。也就是說，一直在跑RAS# to CAS# Delay (Trcd)
等到行定址後，又要自主記憶體讀取下一N筆資料，而所需的準備時間就是CL值。
因此RAM的參數中以CAS Latency跟RAS to CAS Delay為最重要。
總結上述，這些記憶體參數選項代表了記憶體在既定的時脈下，(原本的工作時脈)
其DRAM顆粒內部指令傳輸的延遲，或是顆粒自我充電、放電所需時間、準備下一筆、找尋資料時間，
等等。因此想要記憶體以高時脈運作，則記憶體參數就必須調高(鬆)
否則記憶體容易傳送錯誤資料，或是不穩定。
最常看到的DDR400/DDR500，記憶體參數有
CAS# latency (Tcl) 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) 4
Row precharge Time (Trp) 4
Min RAS# active time(Tras) 8
也有更高的(傳輸延遲更久的)
CAS# latency (Tcl) 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) 5
Row precharge Time (Trp) 5
Min RAS# active time(Tras) 10
以上參數通常適用DDR500以上。
若您的記憶體體質相當不錯，也可以試試看以
CAS# latency (Tcl) 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) 3
Row precharge Time (Trp) 3
Min RAS# active time(Tras) 6
體質好的顆粒若跑DDR400 參數可以調至
CAS# latency (Tcl) 2.5
RAS# to CAS# delay (Trcd) 2
Row precharge Time (Trp) 2
Min RAS# active time(Tras) 5
所以您看到很多的DDR500，都是以較高的參數
(較長的訊號傳輸延遲來換取較高的運作時脈)
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通常，超頻與設定記憶體參數是兩回事。
因為首先您要找到最佳的CUP外頻時脈與記憶體時脈搭配，
再來看看系統穩定度，最後才需要嘗試調緊記憶體參數，來獲取更高的記憶體效能。
超頻後最明顯的就是系統運作變的更快。玩遊戲更順暢，SuperPi跑的更外，3DMARK分數更漂亮，
然最佳化記憶體參數能夠影響的就是關於記憶體傳輸效能上，若要真的有感覺，其實很難。
還是需要用到測試軟體來"體會"效能差異。
以上資料希望能讓大家瞭解何謂記憶體參數，以及它的應用。
[ 本帖最後由 ga032794 於 2007-7-2 16:49 編輯 ]
